Intel väntas presentera stora prestandakliv med sin nya tillverkningsprocess Intel 18A under årets upplaga av VLSI Symposium. Eventet går av stapeln under juni månad i Japan, men redan nu har arrangörerna lagt upp förhandstittar på de presentationer som kommer hållas på plats. Mest uppseendeväckande är Intels utfästelser om 36-procentiga minskningar i effekt eller en 25-procentig ökning i frekvens jämfört med föregångaren Intel 3 vid spänningen 1,1 volt.
Jämförelserna förutsätter i vanlig ordning en krets som förutom tillverkningstekniken är identisk, men intressant nog specificerar Intel att referenskretsen denna gång är en kärna från ARM. Vid den lägre spänningen 0,75 volt erbjuds istället 18 procent högre prestanda eller 38 procent lägre effekt – samtidigt som Intel 18A endast upptar 0,72 gånger arealen av samma krets på bolagets 3-nanometersteknik.
De stora nyheterna för tillverkningstekniken Intel 18A är dess användning av transistorer av typen Gate-All-Around Field-Effect Transistor (GAAFET), av Intel kallade RibbonFET, samt Backside Power Delivery Network (BSPDN), eller PowerVia, där strömförsörjningen av kretsen flyttas till ”baksidan” av kislet. Samsung var på pappret först med GAAFET i produktion på 3 nanometer år 2022, medan marknadsledande TSMC är i startgroparna med GAAFET på sin 2-nanometersprocess som går in i produktion under 2025 års andra hälft.
Intel tar med andra ord ett gigantiskt kliv från dels FinFET-transistorer och traditionell strömförsörjning till GAAFET och BSPDN på en och samma gång, vilket även ger avtryck i transistordensiteten. Cellhöjden i högprestandabiblioteken (HP) för Intel 18A minskar med 25 procent från 240 till 180 CH samtidigt som högdensitetsbiblioteket går från 210 till 160 CH, vilket även det är snudd på en 25-procentig minskning.
Hur Intel 18A kommer att stå sig mot Samsungs och TSMC:s 2-nanometersklassade tekniker återstår att se, men nämnvärt är att även TSMC utlovar stora förbättringar med sitt dito. Den taiwanesiska jätten jämför sin första 2-nanometersprocess N2 mot N3E, dess andra generations 3-nanometersprodukt – här väntas vid samma spänning effektuttaget minska med 25–30 procent alternativt att prestandan ökas med 10–15 procent.
