Det japanska halvledarhoppet inom avancerad kontraktstillverkning, Rapidus, uppger att bolaget har som målsättning att introducera sin 1-nanometersprocess endast ett halvår efter marknadsledaren TSMC. Uppgifterna kommer från Rapidus CTO, Kazunari Ishimaru, i en intervju med Nikkei Xtech.
Rapidus väntas år 2027 inleda produktion på 2 nanometer, där tekniken bakom processen levererats av amerikanska IBM och belgiska IMEC. Att slå sig in på halvledarmarknaden som en ny kontraktstillverkare vore en bedrift – och att tillverkningstekniskt ligga endast två år efter marknadsledaren TSMC, som sent under vintern 2025 inledde produktion på 2 nanometer, vore även det en bedrift i sig. Detta ska av Rapidus efterföljas av 1,4 nanometer, där utveckling av processen inleds i år och väntas gå in i produktion omkring 2029.
Sedan tidigare är det känt att Rapidus har anlitat det franska forskningsinstitutet LETI för att nå produktion på 1 nanometer. TSMC:s ursprungliga plan år 2023 var att fasa in kretsproduktion på 1 nanometer så snart som år 2030, men mer sentida rapporter talar istället om år ”2030/2031”. Det skulle kunna innebära att Rapidus går in i 1-nanometersproduktion i början av 2032 och i bästa fall vara endast sex månader efter TSMC.
Huruvida det japanska bolaget lyckas leverera är upp till bevis. Hittills har bolaget endast levererat fungerande kretsar med 2-nanometerstransistorer under juli 2025, och uppges enligt Trendforce varit i full färd med att sedan hösten samma år ”i högt tempo” förfina processens prestanda. Fullvärdiga kvalificeringsexemplar av kretsar till kunder väntas till slutet av 2026.
Medan ambitionerna låter bra råder ingen brist på tidigare exempel där högtflygande planer i högt tempo straffat sig. Ett exempel är Intel som under 2010-talet sjabblade bort sin teknologiska ledning genom att försöka sig på ett allt för ambitiöst kliv från 14 till 10 nanometer. Resultatet blev en teknik omöjlig att tillverka på och att bolaget trampade vatten i flera år för att försöka rätta det – något som gav TSMC guldläge att gör det som tidigare troddes omöjligt och springa om.
Under sommaren 2022 var det istället Samsung som i sin iver att vara före TSMC till 3 nanometer utannonserade lanseringen av sin process, med vilken de inte enbart kom först utan även blev först i världen med övergången till transistorer av typen Gate-All-Around Field-Effect Transistor (GAAFET). Tillverkningsprocessen visade sig dock vara långtifrån redo och det tog hela två år innan Samsung fick rätsida på tekniken.
Det som talar för Rapidus är istället att bolaget inte ser ut att ha som mål att kriga med TSMC, Samsung och Intel i volym. Initial produktion väntas omfatta blott 6 000 wafer starts per month (WSPM), vilket under 2027 ska skalas upp till 25 000 WSPM. Detta är att jämföra med TSMC, vars totala kapacitet år 2025 i genomsnitt var ”över 17 miljoner WSPM” eller runt 1,42 miljoner WSPM. Produktionstakten på 2 nanometer hos TSMC väntas uppgå till omkring 100 000 WSPM mot slutet av 2026.
Med sig in i kriget har Rapidus också över 60 intressenter och en lång rad delägare från andra delar av japansk industri. Ett visst mått av ”Make Japan Great Again” ska inte underskattas, där Rapidus är Japans chans att återta platsen landet hade i halvledarproduktionens toppskikt fram till tidigt 1990-tal.
