Världens största minnestillverkare, sydkoreanska Samsung, har demonstrerat en NAND-krets med 900 lager med hjälp av en ny bindningsteknik vid namn Cell Multi Bonding, rapporterar ET News. Bedriften ska ha uppnåtts genom att sammanfoga två stycken 450-lagerskretsar med varandra, där även 450-lagerskretsarna uppges vara experimentella – Samsung producerar i dagsläget sin nionde generations NAND-krets (v9) med 280 lager.
NAND-kretsar är de minneskretsar som används för lagring i enheter som mobiltelefoner och SSD-enheter, och i dagsläget anses Samsungs landsmän SK Hynix vara marknadsledande på området med sina kretsar om 321 lager. Kanske på starkast uppsegling inom NAND-tillverkning är kinesiska YMTC, som under 2025 licensierade delar av bolagets bindningsteknik Xtacking till ingen mindre än Samsung – något som nu sannolikt möjliggjort att två rekordstora staplar kunnat sammanfogas till en.
ET News rapporterar att Samsung mötte utmaningar i form av wafer warping och stack misalignment, kortfattat att kiselskivan slog sig samt att lagren inte linjerade korrekt – något som ska ha lösts med nya verktyg för att uppnå lösningen om 2 × 450 lager. Vad som inte nämns är de patent i form av hybrid bonding-bindningstekniker speciellt anpassade för NAND-produktion som Samsung köpt loss från YMTC – lösningar som nästan garanterat utgör åtminstone delar av Cell Multi Bonding-lösningen.
| YMTC | YMTC | Micron | Samsung | Samsung | Kioxia-Sandisk | Kioxia-Sandisk | SK Hynix | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Gener-ation | ? | Xtacking 3.0/Gen 4 | Gen 9 (G9) | v9 | v10 | BiCS 8 | BiCS 9 | Gen 9 |
| Antal Lager | 232 | 232 | 276 | 290? | 400+ | 218 | 332 | 321 |
| Densitet | >20 Gb mm2 | 19.8 Gb mm2 | 21.0 Gb mm2 | 17 Gb mm2 | 28 Gb mm2 | 22.9 Gb mm2? | ? | 20 mm2 |
| Arkitektur | TLC | QLC | TLC | TLC | TLC | QLC | ? | TLC |
| Kapacitet | 1 Tb | 1 Tb | 1 Tb | 1 Tb | 1 Tb | 2 Tb | ? | 1 Tb |
| I/O | ? | ? | 3 600 MT/s | 3 200 MT/s | 5 600 MT/s | 3 600 MT/s | 4 800 MT/s | ? |
Samsungs siktar enligt Trendforce på 430 aktiva lager med sin tionde generation NAND-kretsar. När detta läggs ihop med forskningsframsteget där dubbla 450-lagerskretsar sammanfogats kan vi med fog dra slutsatsen att Samsung v10 i grundutförandet bygger på 450 lager med ett tjog lager inaktiverade. Detta är att jämföra med till exempel YMTC:s 232-lagerskretsar som bygger på en stack om totalt 294 lager, vilket är ett betydligt högre svinn.
Samsung v10 väntas gå i produktion under 2027, där framför allt I/O-hastigheten och tillhörande teoretisk bandbredd väntas öka drastiskt jämfört mot v9 – från 3 200 megatransfers per sekund (MT/s) till 5 600 MT/s. Detta passar väl in i rådande marknadsläge där AI-applikationer fullkomligt skriker efter all bandbredd som går att få, även inom lagringslösningar.
Tom’s Hardware noterar även att densitet sannolikt inte är Samsungs huvudsakliga fokus med tionde generationens NAND, men att lagringsdensiteten sannolikt vida överstiger de produkter som i dagsläget finns på marknaden där Kioxia och Sandisk är ledande med 22,9 gigabit per kvadratmillimeter (Gb/mm2). Här väntas Samsung med sina 400 lager TLC (triple-level cell, tre bitar per minnescell) nå en densitet om 28 Gb/mm2.
