De sydkoreanska minnestillverkarna Samsung och SK Hynix väntas anamma ASML:s mest avancerade EUV-litografiutrustning av High NA-typ redan år 2028, rapporterar sydkoreanska M Today. Uppgifterna följer tätt inpå att ASML och TSMC tillkännagivit att världens största kontraktstillverkare år 2030 fasar in utrustningstypen i massproduktion, där bland annat större fotomasker ska göra tillverkning med utrustningen mer lönsam.
Samsung har sedan mars år 2025 en EUV-scanner av High NA-typ, som hittills används för prototypande – så även SK Hynix som också under fjolåret emottog sin första High NA-enhet. Bolagsduon väntas enligt News1 förvärva fler enheter och använda dessa till massproduktion av minneskretsar år 2028, samtidigt som de uppges överväga att göra gemensam sak med TSMC och gå med i ett konsortium som syftar till att utveckla nästa generations fotomasker.
Avsaknaden av stora fotomasker är däremot inte ett omedelbart problem för minnesgiganterna, då minneskretsar utan problem håller sig inom High NA-teknikens anamorfiska objektivens reticle limit om 26 × 16,5 millimeter. Med det sagt väntar sig Samsung slå TSMC på fingrarna vad gäller produktionsstart på logik genom sin foundry-verksamhet, där produktionsstart för kretsar i 1-nanometersklassen väntas ske så snart som år 2029.
Tillverkningstekniker för DRAM och snåriga produktnamn
| Generation ”10 nm-klass” | Samsung | SK Hynix | Micron | Lanseringsår |
|---|---|---|---|---|
| 1:a | D1x / 1x | 1xnm | 1x | 2016–2017 |
| 2:a | D1y / 1y | 1ynm | 1y | 2017–2019 |
| 3:e | D1z / 1z | 1znm | 1z | 2019–2020 |
| 4:e | D1a / 1a | 1anm | 1α, “one-alpha” | 2021 |
| 5:e | D1b / 1b | 1bnm | 1β, “one-beta” | 2022–2023 |
| 6:e | D1c / 1c | 1cnm | 1γ, “one-gamma” | 2025–2026 |
| Kommande | D1d / 1d | 1dnm | 1δ, “one-delta” | 2027–2028 |
Minnestillverkarnas olika produktnamn. Sammanställning: Semi14
För att återgå till minnesmarknaden lyser High NA-planer från det tredje benet i minnestrifektan, amerikanska Micron, med sin frånvaro. Trendforce noterar med hänvisning till Tom’s Hardware att bolaget under 2025 fasade in EUV-litografi i sin DDR5-tillverkning på sin 1γ-process (1-gamma), och att den kommande 1δ-generationen (1-delta) väntas medföra bruk av ”senaste generationens EUV-utrustning”. Trendforce noterar därtill att bolaget är i full färd med att värva ingenjörer till High NA EUV-projekt i Albany, New York, där bolaget bedriver forskning på tekniken tillsammans med IBM, Applied Materials och Tokyo Electron.
