TaggarSamsung

Tag: Samsung

Intel inleder produktion med High-NA EUV under 2024

ASML:s utrustning levereras under året till Intel och TSMC – med vitt skilda syften.

Nvidia ratar Samsungs HBM-minne

Hög strömförbrukning och värmeutveckling gör att Samsung inte når upp till Nvidias högt ställda krav.

Samsung siktar på jättekliv till NAND på över 400 lager

I jakten på ledartröjan väntas minnesjätten sikta på att gå från 290 till minst 430 så snart som år 2025.

Efterfrågan på HBM-minne driver upp priserna på DDR5

Lägre kapacitet och högre priser på traditionellt primärminne direkt konsekvens av uppskruvade HBM-ambitioner.

TSMC och Samsung ökar marknadsandelar inom kontraktstillverkning

Världens två största kretsleverantörer står för 75 procent av marknaden.

HBM-minne från SK Hynix nästan slutsålt för år 2025

Byggnationen av fabriken M15X återupptas för att möta framtidens HBM3-efterfrågan för AI-kretsar.

Racet mot ångström – Intel, Samsung och TSMC växlar upp

Intels inträde på marknaden har satt eld i baken på TSMC och Samsung. Semi14 summerar färdplanerna mot ångström-eran.

Analys: Nionde generations NAND-kretsar från Samsung

Jonas Sundqvist sätter Samsungs nya 280-lagers V-NAND-kretsar i perspektiv.

TSMC tillkännager A16 – 1,6 nanometer år 2026

Världens största kontraktstillverkare äntrar scenen i Intels bakgård i Santa Clara för att tala om framtiden bortom år 2025.

Samsung nästa Chips Act-bidragstagare – för satsningar i Texas

Den koreanska halvledarjätten får 6,4 miljarder dollar för att tillverka kretsar på 2 nanometer i USA.
- Advertisment -

Most Read